*缘材料介电损耗因数测试仪 介电常数测试仪由BH916测试装置（夹具）、GDAT型高频Q表、数据采集和tanδ自动测量控件（装入GDAT)、及LKI-1型电感器组成，它依据国标GB/T 1409-2006、美标ASTM D150以及国际电工委员会IEC60250的规定设计制作。系统提供了*缘材料的高频介质损耗角正切值(tanδ)和介电常数(ε)自动测量的解决方案。
*缘材料介电损耗因数测试仪 工作条件
a. 环境温度：0℃～+40℃；
b．相对湿度：<80％；
c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
边缘效应
为 了避 免 边缘效应引起电容率的测量误差，电*系统可加上保护电*。保护电*的宽度应至少为
两倍的试样厚度，保护电*和主电*之间的间隙应比试样厚度小。假如不能用保护环，通常需对边缘电
容进行修正，表工给出了近似计算公式这些公式是经验公式，只适用于规定的几种特定的试样形状
此外 ，在 *个合适的频率和温度下，边缘电容可采用有保护环和无保护环的(比较)测量来获得，用
所得到的边缘电容修正其他频率和温度下的电容也可满足精度要求
西林电桥是测量电容率和介质损耗因数的*经典的装置。它可使用从低于工频(50 Hz-60 Hz)直至 100 kHz的频率范围，通常测定 50 pF-1 000 pF的电容(试样或被试设备通常所具有的电容)这是*个四臂回路(图A. 1)。其中两个臂主要是电容(未知电容 Cx和*个无损耗电容C,)。另外两臂(通常称之为测量臂)由无感电阻R，和 R:组成，电阻 R,在未知电容 Cx的对边上，测量臂至少被*个电容 C,分流 *般地说，电容 C:和两个电阻R,和R:中的*个是可调的。
如果采用电阻R、和(纯)电容 C 的串联等值回路来表示电容 Cx，则图 A. 1所示的电桥平衡时导出 :
R1
Cs=Cn·——
R2
和tanδx=ωCSRS=ωC1R1
如果电阻 R2被*个电容C2分流，则tanδ = 的公式变为：
Tanδx=ωC1R1---ωC2R2
由于频率范围的不同，实际上电桥构造会有明显的不同。例如*个50 pF-1 000 pF的电容在50 Hz时的阻抗为 60 MΩ-3 MΩ，在 100 kHz时的阻抗为 3 000 Ω-1 500Ω.
频率为 100 kHz时，桥的四个臂容易有相同数量*的阻抗，而在 50 Hz-60 Hz的频率范围内则是不可能的。因此，出现了低频和(相对)高频两种不同形式的电桥.
低频电桥
*般为高压电桥，这不仅是由于灵敏度的缘故，也因为在低频下正是高电压技术特别对电介质损耗关注的问题。电容臂和测量臂两者的阻抗大小在数量*上相差很多，结果，*大部分电压都施加在电容Cx和 C}上，使电压分配不平衡 上面给出的电桥平衡条件只是当低压元件对高压元件屏蔽时才成立。同时，屏蔽必须接地，以保证平衡稳定。如图A. 2所示。屏蔽与使用被保护的电容 C、和 C、是*致的，这个保护对于Ch来说是必不可少的。
由于选择不同的接地方法，实际上形成了两类电桥。
其他
a．消耗功率：约25W；
b．净重：约7kg；
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
介质损耗：*缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质*化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因数角Φ）的余角δ称为介质损耗角。
损耗因子也指耗损正切，是交流电被转化为热能的介电损耗（耗散的能量）的量度，*般情况下都期望耗损因子低些好 [1] 。
概念：
电介质在外电场作用下，其内部会有发热现象，这说明有部分电能已转化为热能耗散掉，电介质在电场作用下，在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率，或简称介质损耗（diclectric loss）。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之*。介质损耗不但消耗了电能，而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大，甚至会引起介质的过热而*缘破坏，所以从这种意义上讲，介质损耗越小越好。
基于串联谐振原理的《GDAT高频Q表》是测试系统的二次仪表，其数码化主调电容器的创新设计代表了行业的成就，随之带来了频率、电容双扫描GDAT的全新搜索功能。该表具有*进的人机界面，采用LCD液晶屏显示各测量因子：Q值、电感L、主调电容器C、测试频率F、谐振趋势指针等。高频信源采用直接数字合成,测试频率10KHz-60MH或200KHz-160MHz，频率精度高达1×10-6。国标GB/T 1409-2006规定了用Q表法来测定电工材料高频介质损耗角正切值(tanδ)和介电常数(ε)，把被测材料作为平板电容的介质，与辅助电感等构成串联谐振因子引入Q表的测试回路，以获取测试灵敏度。因而Q表法的测试结果更真实地反映了介质在高频工作状态下的特征。
带屏蔽的简单西林电桥
桥的B点(在测量臂边的电源接线端子)与屏蔽相连并接地。
屏蔽能很好地起到防护高压边影响的作用，但是增加了屏蔽与接到测量臂接线端 M和 N的各根导线之间电容.此电容承受跨接测量臂两端的电压 这样会引人*个通常使 tans的测量精度限于0.1%数量*的误差，当电容CX和CN不平衡时尤为显著。
高频Q表的全数字化界面和微机控制使读数清晰稳定、操作简便。操作者能在任意点频率或电容值的条件下检测Q值甚至tanδ，无须关注量程和换算，彻底摒弃了传统Q表依赖面板上印制的辅助表格操作的落后状况，它无疑是电工材料高频介质损耗角正切值(tanδ)和介电常数(ε)测量的理想工具。
电介质的用途
电介质*般被用在两个不同的方面:
用作电气回路元件的支撑，并且使元件对地*缘及元件之间相互*缘;
用作电容器介质
宏观结构不均勾性的介质损耗
工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗*大的*相和损耗*小的*相之间。
满足标准：GBT 1409-2006测量电气*缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法
特点：
◆ 优化的测试电路设计使残值更小
◆ 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术
◆ LED 数字读出品质因数，手动/自动量程切换
◆ 自动扫描被测件谐振点，标频单键设置和锁定，大大提高测试速度
测试注意事项
a．本仪器应水平安放；
b．如果你需要较精确地测量，请接通电源后，预热30分钟；
c．调节主调电容或主调电容数码开关时，当接近谐振点时请缓调；
d．被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短，足够粗，并应接触良好、可靠，以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差；
e．被测件不要直接搁在面板顶部，离顶部*公分以上，必要时可用低损耗的*缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫；
f．手不得靠近试件，以免人体感应影响造成测量误差，有屏蔽的试件，屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。
频率
因为只有少数材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很宽的频率范围内它们的 。r和 tans几乎是恒定的，且被用作工程电介质材料，然而*般的电介质材料必须在所使用的频率下测量其介质损耗因数和电容率。
电容率和介质损耗因数的变化是由于介质*化和电导而产生，*重要的变化是*性分子引起的偶*子*化和材料的不均匀性导致的界面*化所引起的.
温度
损耗指数在*个频率下可以出现*个*大值，这个频率值与电介质材料的温度有关。介质损耗因数和电容率的温度系数可以是正的或负的，这取决于在测量温度下的介质损耗指数*大值位置。
湿度
*化的程度随水分的吸收量或电介质材料表面水膜的形成而增加，其结果使电容率、介质损耗因数和直流电导率增大。因此试验前和试验时对环境湿度进行控制是必不可少的.
注:湿度的显著影响常常发生在 1MHz以下及微波频率范围内
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