静态参数测试
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012、GJB128B-2021
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件;
检测能力:2000V/200A.7000V/5000A。
开关特性测试
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;
试验对象:Si&SiC·二*管、MOSFET、IGBT等分立器件;
试验能力:1500V/300A、4500V/5000A;
试验参数:开通/关断时间ton/toff、上升/下降时间tr/tf、开通/关断延 迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖 峰Ic-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率
dv/dt、电流变化率di/dt。
反向恢复特性测试
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;
试验对象:Si&SiC·二*管、MOSFET、IGBT等分立器件;
试验能力:1500V/300A、4500V/5000A;
试验参数:反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间 Trr、反向恢复电流变化率diF/dt、反向恢复损耗Erec。
栅*电荷测试
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;
试验对象:Si&SiC·二*管、MOSFET、IGBT等分立器件;
试验能力:1500V/300A、4500V/5000A;
试验参数:栅*电荷Qg、漏*电荷Qgs、源*电荷Qgd。
结电容Cg测试
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;
试验对象:Si&SiC·二*管、MOSFET、IGBT等分立器件;
试验能力:频率0.1MHz~1MHz、电压1500V、电容范围:10pF- 100nF;
试验参数:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres、栅*等 效电阻Rg。
雪崩耐量测试
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747,客户自定义;
试验对象:MOSFET、IGBT、DIODE,*三代半导体器件等单管器件;
试验能力:检测电压:4500V,检测电流:200A
试验参数:雪崩能量EAS/EAR。
浪涌电流测试
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747,客户自定义;
试验对象:DIODE(Si/SiC)、整流桥、SCR、IGBT;
试验能力:检测电流:8000A,10/8.3ms正弦半波,10us-1ms方波;
试验参数:浪涌电流IFSM/ITSM、i2t。
热阻测试Riath
执行标准:JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;
试验对象:各类二*管;
试验能力:瞬态热阻、稳态热阻。
短路测试
执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T 29332-
2012;
试验对象:二*管、MOSFET、IGBT等功率模块;
试验能力:4500V/5000A、短路电流15000A;
试验参数:短路电流Isc、短路时间Tsc、短路能量ESC。
介电性测试
执行标准:GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB4793.1-2007;
试验对象:Si、SiC·MOSFET;
试验能力:检测电压:100V。
高温存储HTSL试验
执行标准:MIL-STD-750,GB/T 2423.2-2008、GJB548、;
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、
IGBT模块及其他电子产品;
试验能力:温度220℃;
低温存储LTSL试验
执行标准:GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ
ED-4701100、AEC-Q101、;
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、
IGBT模块及其他电子产品;
试验能力:温度-70C。
温度循环Tc试验
执行标准:GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ
ED-4701100、AEC-Q101、;
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、
IGBT模块及其他电子产品;
试验能力:温度范围:-40C~175C。
高温反偏HTRB试验
执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-
4701100、AEC-Q101;
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件
及IGBT模块;
试验能力:温度150℃;电压5000V。
高温栅偏HTGB试验
执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED- 4701100、AEC-Q101;
试验对象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;试验能力:温度150°℃;电压100V。
高温高湿反偏H3TRB试验
执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED- 4701100、AEC-Q101;
试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;
试验能力:温度85°℃,湿度范围:25%-95%，电压4500V。
功率老炼实验
执行标准：GJB128,MIL-STD-750,JESD22-A108,EIAJ ED-4701100,AEC-Q101;
试验对象：IGBT,TVS，压敏电阻VDR;
试验能力：高电平520V，低电平5V.
功率循环Pc试验试
执行标准：GJB128,MIL-STD-750;
试验对象：IGBT模块；
检测能力：ATj=100C，电压30V，电流1800A.
间歇寿命oL试验
执行标准：GJB128,MIL-STD-750,;
试验对象：DIODE,BJT,MOSFET,IGBT及SiC器件等分立器件；
检测能力：ATj≥100℃电压60V，电流50A.
温度冲击试验
执行标准：GJB548,GJB 150-86,GB 2423,MIL-STD-810H,IEC60068-2-14;
试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模块及其他电子产品；
试验能力：温度范围：-70C~220C.
高温蒸煮PCT试验
执行标准：GB/T 4937.4-2012,JESD22-A110D-2010IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008;
试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器
试验能力：温度范围：105C到142.9C之间，温度范围：75%到100%RH，压力范围：0.02MPa到0.186MPa.
盐雾试验
执行标准:GB/T2423.17-2008,GB/T2423.18-2000,Gb5938-86;
试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模块及其他电子产品。
可焊性试验
执行标准：MIL-STD-202G,MIL-STD-883G,GB2423,IEC60068;
试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模块及其他电子产品。
机械冲击试验
执行标准：IEC 60068-2-27,GB/T 2423.5,MIL-STD-810G,GB/T21563-2018;
试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模块及其他电子产品。
振动试验
执行标准：GJB 150.25-86,GB-T 4857.23-2003,GBT4857.10-2005;
试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模块及其他电子产品。
引出端弯曲试验
执行标准：GJB 150.25-86,GB-T 4857.23-2003,GBT4857.10-2005;
试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模块及其他电子产品。
引出端拉力试验
执行标准：MIL-STD-883,JEDEC JESD22-B104,JEDEC JESD22-B109,IPC-9701;
试验对象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模块及其他电子产品。
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