厦门中芯晶研可提供2",3",4"锑化铟单晶片。
锑化铟(InSb) 是由元素铟(In) 和锑(Sb)制成的结晶化合物，具有稳定的物理化学性能和优良的工艺相容性。InSb属于窄带隙半导体，能带隙在300 K时为0.17eV,在80 K时为0.23eV。除碳纳米管外,未掺杂的InSb拥有高于已知半导体材料的室温电子迁移率(78000 cm2/Vs)，电子漂移速度和弹道长度(在300 K时可达0.7m)。
它是用于红外探测器的III-V族的窄间隙半导体材料，包括红外热像仪，FLIR系统，红外系统和红外天文学。此外，锑化铟半导体晶片可用作太赫兹辐射源。
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