产品描述
上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE.
蚀刻均匀性: ±5%, 硅 Si 刻蚀速率≥20 nm/min, 样品台: 直接冷却（水冷）0~±90 度旋转.
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源产生轰击离子;
终点检出器采用 Pfeiffer 残余气体质谱分析仪监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.
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Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 产品优势：
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 主要优点
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国考夫曼离子源.
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.
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Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数：
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:
基板尺寸
< Ф8 X 1wfr
可选样品台
直接冷却（水冷）0~±90 度旋转
离子源
4 cm,8cm,10cm,16cm
考夫曼离子源均匀性
±5% for 4”Ф
硅片刻蚀速率
≥20 nm/min
温度
<100
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 组成：
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 组成：
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 蚀刻速率：
Hakuto 离子蚀刻机通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
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